一种氧化镁晶体粉制备方法
本发明公开了一种氧化镁晶体粉制备方法,使用高纯氧化镁为原料,采用球磨水化获得浆体,球磨水化的用水量与氧化镁的重量比大于1:2,水化温度在50~100℃之间;球磨水化过程中需要加入表面活性剂.在100~150℃之间对浆体进行干燥、烧结温度1600~1750℃,停留2~30小时;烧结后降温速率为20~100℃每小时,400℃后自然降温烧结后降温.最后将所得物料粉粹来获得氧化镁晶体粉.本发明制备过程中具有原料损耗低、流程简单、低能耗的特点,可广泛应用于氧化镁晶体粉的制备.
- 专利类型：
- 发明专利
- 申请（专利）号：
- CN201510931207.5
- 申请日期：
- 2016-02-17
- 公开（公告）日：
- 2016-02-17
- 公开（公告）号：
- CN105329922A
- 主分类号：
- C01F5/02(2006.01)I
- 分类号：
- C01F5/02(2006.01)I；C；C01；C01F；C01F5；C01F5/02
- 申请（专利权）人：
- 营口镁质材料研究院有限公司
- 发明（设计）人：
- 曾卫军