一种低气孔率PDP用氧化镁靶材的烧结方法
本发明公开了一种低气孔率PDP用氧化镁靶材的烧结方法,包括以下步骤:a)将原料MgO粉体和添加剂按照比例进行配料,混合,并在球磨机中制备成浆料;b)通过喷雾干燥机干燥浆料,得到均匀球形粉体,然后模压成型;c)将成型的坯料烧结:升温至1200~1400℃之间,保温1~30小时,再升温至1650~1750℃,保温5~35小时,随后控制降温速率进行降温.本发明的整个过程控制方便,不引入杂质,可以使氧化镁烧结体靶材的气孔率大幅降低.
- 专利类型：
- 发明专利
- 申请（专利）号：
- CN201510934139.8
- 申请日期：
- 2016-02-17
- 公开（公告）日：
- 2016-02-17
- 公开（公告）号：
- CN105330262A
- 主分类号：
- C04B35/01(2006.01)I
- 分类号：
- C04B35/01(2006.01)I；C04B35/64(2006.01)I；C；C04；C04B；C04B35；C04B35/01；C04B35/64
- 申请（专利权）人：
- 营口镁质材料研究院有限公司
- 发明（设计）人：
- 曾卫军