一种用于氧化镁靶材的多孔多晶坩埚的制备方法
本发明公开了一种用于氧化镁靶材的多孔多晶坩埚的制备方法,按照如下步骤制备:a)将分散剂和表面活性剂溶解于介质中形成溶解液;b)将溶解液、消泡剂、原料氧化镁与活性炭,通过球磨机湿法混合,得到均匀混合的悬浮浆料;c)对悬浮浆料进行干燥获得粉体;d)对粉体进行成型,烧结制成坩埚.本发明制备的用于氧化镁靶材的多孔多晶坩埚特别适用于氧化镁靶材的生产,其坩埚壁带有大量的微孔方便产品烧结时生成的水汽排放,纯度高不会发生杂质扩散进产品的现象,且耐高温、使用寿命长.此外坩埚壁的微孔数量和大小可以根据使用要求,通过控制添加活性炭的数量和粒径加以控制.
- 专利类型:
- 发明专利
- 申请(专利)号:
- CN201510931157.0
- 申请日期:
- 2016-02-17
- 公开(公告)日:
- 2016-02-17
- 公开(公告)号:
- CN105330263A
- 主分类号:
- C04B35/04(2006.01)I
- 分类号:
- C04B35/04(2006.01)I;C;C04;C04B;C04B35;C04B35/04
- 申请(专利权)人:
- 营口镁质材料研究院有限公司
- 发明(设计)人:
- 曾卫军