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1. 几种反应烧结碳化硅陶瓷材料的高温氧化行为研究 原文获取 
[学位论文]   作者:郑传伟   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2010   专业名称:材料加工工程   授予学位:博士
SiC陶瓷材料具有优异的高温强度、耐腐蚀性及良好的导电、导热性,作为高温结构材料、高级耐火材料和半导体材料广泛应用于工业生产.但是SiC作为非氧化物陶瓷在较高温度和腐蚀性环境中,不可避免地会发生氧化腐
关键词：高温氧化 多孔陶瓷 泡沫陶瓷 反应烧结碳化硅 莫来石涂层
2. Ti3SiC2-Ag复合的制备与高温摩擦学性能 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:李慧   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2011   专业名称:材料学   授予学位:硕士
MAX-Ag复合材料有望作为室温到550℃范围内使用的空气箔片轴承轴颈的替代材料,MAX相中Ti3SiC2在高温下具有高强度、高热稳定性等优异的性能,本文以Ti3SiC2材料为研究出发点,采用新型放电
关键词：钛硅碳 金属银 复合材料 材料性能 烧结工艺
3. 燃烧合成3C--SiC微纳粉体及其氧化与光特性 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:李永   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2012   专业名称:物理化学   授予学位:博士
碳化硅(SiC)具有优良的高温力学性能、高的导热性和电子迁移率而被认为是制备高温结构陶瓷和半导体器件的理想材料.纳米SiC粉体由于在全波长都具有高的红外辐射率和良好的光学特性,在红外辐射节能涂料和生物
关键词：纳米材料 碳化硅分体 燃烧合成 量子束效应
4. SiCp/A1复合材料的SiCp分布均匀性及力学性能的研究 （被引次数：2） 原文获取 
[学位论文]   作者:刘振宇   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2010   专业名称:材料加工   授予学位:硕士
本文利用粉末冶金法制备了SiC颗粒增强2009Al复合材料,系统研究了影响SiC颗粒分布均匀性的因素及SiC分布均匀性对力学性能的影响。
　　 考察了常规混料、高能球磨混料过程中的粉末形貌演化
5. 基于SiC衬底的模型催化剂构建及其化学性质研究 原文获取 
[学位论文]   作者:王珍   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2011   专业名称:物理化学   授予学位:博士
本论文研究了Si面6H-SiC(0001)和C面6H-SiC(000`1)两个极性表面的各种重构相,并以这些模型表面为衬底生长Pt金属催化剂,考察了Pt与SiC衬底的相互作用以及Pt/SiC界面结构.
关键词：表面重构 6H-SiC(0001) 6H-SiC(000 1) Pt CNTs
6. 几种反应烧结碳化硅陶瓷材料的高温氧化行为研究 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:郑伟伟   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2009   专业名称:材料加工工程   授予学位:博士
SiC陶瓷材料具有优异的高温强度、耐腐蚀性及良好的导电、导热性,作为高温结构材料、高级耐火材料和半导体材料广泛应用于工业生产。但是SiC作为非氧化物陶瓷在较高温度和腐蚀性环境中,不可避免地会发生氧化腐
7. SiC/Cu(Fe)双连续相复合材料的制备及腐蚀与摩擦性能研究 原文获取 
[学位论文]   作者:李凤歧   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2011   专业名称:材料加工工程   授予学位:博士
本研究制备了泡沫SiC/Cu双连续相复合材料和泡沫SiC/Fe双连续相复合材料,并研究了这两种复合材料的腐蚀行为以及腐蚀对SiC/Cu双连续相复合材料摩擦磨损行为的影响.以用高分子热解结合反应烧结法制
关键词：复合材料 金属化合物 多孔泡沫 摩擦磨损
8. 纳米碳化硅的制备、表征及应用 （被引次数：2） 原文获取 
[学位论文]   作者:孟帅   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2011   专业名称:材料学   授予学位:博士
纳米材料是纳米科学与技术的基础,它在信息存储、光电装置、催化和传感器等许多领域发挥着越来越重要的作用,其制备与应用一直是科学工作者的研究热点.
碳化硅(SiC)是一种性能优异的半导体材料,具有
关键词：碳化硅 废弃塑料 吸波性能 纳米材料
9. 纤维增强SiC基复合材料微结构分析和性能评价 原文获取 
[学位论文]   作者:杨金山   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2012   专业名称:材料学   授予学位:博士
目前,国内外有关纤维增强SiC基复合材料的研究已经取得了重大进展,并在多个领域获得了成功应用.但是,纤维增强SiC基复合材料性能受到制备工艺、材料内部结构等因素的影响,表现出各向异性、不均匀和不连续等
关键词：纤维增强 复合材料 SiC Ti3SiC2 性能分析
10. SiCp/Al复合材料的SiCp分布均匀性及力学性能的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:刘振宇   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2010   专业名称:材料加工工程   授予学位:硕士
本文利用粉末冶金法制备了SiC颗粒增强2009Al复合材料,系统研究了影响SiC颗粒分布均匀性的因素及SiC分布均匀性对力学性能的影响. 考察了常规混料、高能球磨混料过程中的粉末形貌演化,对于常规混料
关键词：粉末冶金 SiCp/Al复合材料 团聚 临界体积分数 团聚强度模型
11. 渗硅工艺制备纤维增强陶瓷基复合材料及涂层的性能研究 原文获取 
[学位论文]   作者:周海军   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2010   专业名称:材料学   授予学位:博士
C/SiC复合材料具有密度小、比强度高、断裂韧性高、非脆性断裂等优点,在航空航天、国防军工、新能源以及现代交通等领域具有广阔的应用前景.虽然目前常用的复合材料制备方法,如化学气相渗透法(CVI)、有机
关键词：渗硅工艺 摩擦磨损性能 zrB_2-SiC复相涂层 抗氧化
12. 二氧化碳甲烷化Ni/SiC催化剂的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:职国娟   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2012   专业名称:物理化学   授予学位:博士
CO2甲烷化是解决温室效应和碳资源循环利用的有效途径之一,因此近年来受到广泛关注.CO2甲烷化所用的催化剂一般为负载型Ⅷ族过渡金属催化剂,其中研究最多的是活性高、成本较低的Ni基催化剂.目前常用的载体
关键词：CO2甲烷化 Ni/SiC催化剂 浸渍法 镍盐前躯体
13. --维SiC纳米材料属性及其输运机理研究 （被引次数：2） 原文获取 
[学位论文]   作者:张威虎   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2010   专业名称:物理电子学(080901)   授予学位:博士
碳化硅(SiC)是一种典型的宽禁带Ⅳ-Ⅳ族二元化合物半导体材料,是近年来发展起来的最具潜力的第三代半导体材料。碳化硅具有宽的带隙、高的电子饱和迁移率、大的临界击穿场强、高的热导率以及强的抗辐射能力等特
关键词：非平衡格林函数 密度泛函理论 电子输运 纳米材料 碳化硅 二元化合物半导体材料
14. 碳化硅基平面型光导开关的制备与性能研究 （被引次数：3） 原文获取 
[学位论文]   作者:黄维   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2011   专业名称:材料学   授予学位:博士
半导体光导开关(Photoconductive semiconductor switch,PCSS)具有大功率、快速响应、高重复频率、低抖动的优异性能,是目前最有望在脉冲功率领域应用的高性能开关.Si
关键词：碳化硅 光导开关 导通电阻 欧姆接触
15. Ti_3SiC_2及其复合材料的制备、结构和性能研究 原文获取 
[学位论文]   作者:刘磊峰   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2010   专业名称:材料物理与化学   授予学位:硕士
Ti_3SiC_2是迄今为止研究最为广泛的MAX相材料.其晶体由Ti_6C和Si的原子层间隔堆砌而成,是典型的纳米层状结构化合物.Ti_3SiC_2材料一方面具有陶瓷材料的优点,如高强度、低密度、良好
关键词：Ti_3siC_2 纳米粉体 织构化 Al_2O_3-TiC-Ti_3SiC_2复合材料
16. 常压烧结SiC陶瓷微观结构调控表征及其对光学加工特性的影响研究 原文获取 
[学位论文]   作者:高剑琴   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2012   专业名称:材料学   授予学位:博士
本论文从碳化硅(SiC)陶瓷材料的微观结构入手,系统地研究了SiC微观结构与烧结制度、残余第二相、陶瓷缺陷及其相应磨抛机理间的相互关系,并对其镜面光学性能进行了研究.这对于SiC陶瓷的光学表面加工及其
关键词：碳化硅 微观结构 第二相C 光学表面加工
17. 4H--SiC大功率肖特基二极管器件设计及工艺研究 原文获取 
[学位论文]   作者:吴海雷   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2011   专业名称:微电子学与固体电子学   授予学位:硕士
碳化硅(SiC)材料作为第三代宽带隙半导体材料,具有高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特点,在高温、高频、大功率、抗辐射等领域,尤其是高温或强腐蚀性等恶劣环境中具有巨大的应用潜力.在SiC
关键词：碳化硅 快速同质外延 终端保护 离子注入 高温退火 肖特基二极管 宽带隙半导体材料
18. 猫运动皮层的传入联系及神经元上突触分布的研究 原文获取 
[学位论文]   作者:刘晓波   授予单位:中国科学院上海脑研究所   学位年度:1987   专业名称:神经生物学   授予学位:博士
关键词：大脑皮层
19. 燃烧合成粒径可控的β-SiC粉体及其无压烧结致密化 （被引次数：1） 原文获取 
[学位论文]   作者:邱军付   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2010   专业名称:物理化学   授予学位:博士
碳化硅(SiC)陶瓷因其优异的力学和热学性能而具有广阔的应用前景。然而昂贵的原料成本和陶瓷制品加工成本限制了SiC陶瓷的应用。本文主要研究了燃烧合成粒径可控的β-SiC粉体、所制粉体的改性及陶瓷的凝胶
20. CVD法近正角6H--SiC同质外延生长机制 原文获取 
[学位论文]   作者:朱明星   授予单位:中国科学院研究生院   学位年度:2012   专业名称:材料学   授予学位:博士
碳化硅(SiC)晶体是一种重要的宽禁带半导体材料,和硅(Si)、砷化镓(GaAs)晶体材料相比,具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、饱和电子漂移速率高、电子迁移率高、介电常数小、抗辐射性能强、化学稳
关键词：碳化硅 同质外延 台阶结构 生长机制 化学气相沉积 半导体材料
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